高带宽内存

【午盘播报】沪指上涨1.04%，报3916.07点；深成指上涨1.52%，报13613.48点；创业板指上涨2.11%，报3368.03点；科创50指数上涨3.93%，报1669.34点，两市半日合计成交13189亿。盘面上，半导体、汽车芯片、AI芯片、次新股、高带宽内存、先进封装、存储芯片、时空大数据涨幅居前，商用车、汽车整车、玻璃玻纤、煤炭开采表现不佳，位于跌幅榜前列。全市场上涨个股有4560家，下跌个股有811家，64只股涨停。

【三星电子据报将新增DDR5内存模组产能全部交由外包】9月16日，据报道，三星电子计划将新增的传统内存模组产能全部交由封装测试（OSAT）合作伙伴扩充，重点生产用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR5内存模组及固态硬盘（SSD），自身产能则集中于高带宽内存（HBM）等高价值产品。

【午盘播报】沪指上涨0.57%，报3886.48点；深成指上涨1.42%，报13476.85点；创业板指上涨2.35%，报3324.36点；科创50指数上涨4.5%，报1621.75点，两市半日合计成交11651亿。盘面上，半导体、高带宽内存、CPO概念、蓝宝石、F5G概念、光刻机、贵金属、存储芯片涨幅居前，商用车、汽车整车、焦炭、银行、白色家电、保险表现不佳，领跌市场。全市场上涨个股有4228家，下跌个股有1150家，65只股涨停。

【午盘播报】沪指上涨0.57%，报3886.48点；深成指上涨1.42%，报13476.85点；创业板指上涨2.35%，报3324.36点；科创50指数上涨4.5%，报1621.75点，两市半日合计成交11651亿。盘面上，半导体、高带宽内存、CPO概念、蓝宝石、F5G概念、光刻机、贵金属、存储芯片涨幅居前，商用车、汽车整车、焦炭、银行、白色家电、保险表现不佳，领跌市场。全市场上涨个股有4228家，下跌个股有1150家，65只股涨停。

【午盘播报】沪指下跌1.82%，报3862.73点；深成指下跌2.34%，报13298.77点；创业板指下跌2.04%，报3270.35点，两市半日合计成交12749亿。盘面上，地面兵装板块逆势走强，贵金属、能源金属、工业金属、锂矿概念、有色金属、高带宽内存、代糖概念、小金属板块位于跌幅榜前列。全市场上涨个股有350家，下跌个股有5180家，25只个股涨停。

【消息称英伟达Rubin Ultra芯片拟改用8层HBM】据业界消息，英伟达正考虑将下一代Rubin Ultra人工智能加速器的高带宽内存（HBM）方案，从此前的12层堆叠调整为8层。在存储成本不断上涨的背景下，英伟达更加重视单位带宽成本以及整机系统的经济性。

【消息称英伟达Rubin Ultra芯片拟改用8层HBM】据业界消息，英伟达正考虑将下一代RubinUltra人工智能加速器的高带宽内存（HBM）方案，从此前的12层堆叠调整为8层。在存储成本不断上涨的背景下，英伟达更加重视单位带宽成本以及整机系统的经济性。

【消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺】SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度，1c nm的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。

SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度，1c nm的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。（ChosunBiz）

【午盘播报】沪指上涨0.35%，报3955.85点；深成指上涨0.27%，报13661.39点；创业板指上涨0.43%，报3326.68点，两市半日合计成交12342亿。盘面上，饲料、养殖业、动物保健、渔业、广告营销、房地产服务、跨境支付、数字货币涨幅居前，贵金属、高带宽内存、MLCC、氦气概念、电子化学品、光刻机表现不佳，领跌市场。全市场上涨个股有4135家，下跌个股有1315家，45只股涨停。

【午盘播报】沪指上涨0.03%，报3987.56点；深成指下跌0.58%，报13933.11点；创业板指下跌0.92%，报3407.04点，两市半日合计成交13494亿。盘面上，种植业、盲盒经济、托育服务、数字媒体、水产概念、农产品加工、饮料乳品涨幅居前，电子化学品、高带宽内存、复合集流体、MLCC、元件、PCB表现不佳，领跌市场。全市场上涨个股有3594家，下跌个股有1871家，68只股涨停。

【SK海力士考虑英特尔代工HBM4E基底芯片】8月31日，据报道，SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。SK海力士此前在HBM3E之前均自行生产基底芯片，但随着基底芯片的逻辑功能和性能要求提高，自HBM4起转由台积电代工，目前量产中的HBM4基底芯片采用台积电12纳米级工艺。业内人士称，台积电供应的HBM4基底芯片成本约为SK海力士自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片的3至4倍。随着HBM4E升级，成本压力预计进一步增加。若英特尔加入供应链，SK海力士有望降低成本并提升供应稳定性，同时减少对单一代工厂的依赖。